Hágæða kísiloxíðskífa fyrir háþróuð forrit.{{0}
Hágæða kísiloxíðskúffan fyrir háþróaða notkun er hágæða hvarfefni sem er hannað til að mæta ströngum kröfum nútíma hálfleiðaraframleiðslu, ljóseindatækni og örrafeinda. Þessi skífa er framleidd með nákvæmni úr há-hreinleika kísildíoxíði (SiO₂) og býður upp á framúrskarandi yfirborðsgæði, áreiðanleika og afköst, sem gerir hana tilvalin fyrir háþróaða notkun eins og samþætta hringrás (IC), ljóseindatækni, skynjara og fleira. Með yfirburða efnishreinleika og einstökum vélrænum eiginleikum, er þetta breitt svið kísiloxunar bjartsýni fyrir{4} framleiðsluferli, þar með talið útfellingu, ætingu og ljóslitafræði. Slétt yfirborð þess og sterkbyggðar burðarvirki gera það að fullkomnum grunni fyrir þróun næstu-kynslóðar rafeinda- og ljóseindatækja. Hvort sem hún er notuð í rannsóknum, frumgerð eða stórframleiðslu-, þá tryggir þessi obláta stöðugar,-gæða niðurstöður.
- Hröð afhending
- Gæðatrygging
- 24/7 þjónustuver
Vörukynning
Tæknileg hvítbók: Hágæða SiO_2 wafer fyrir háþróaða samþættingu
Efnisvísindin til að draga úr streitu á yfirborði
Við umskiptin frá frumgerð rannsókna og þróunar yfir í stór-300 mm framleiðslu er aðalorsök uppskerutaps oftMisræmisstuðull varmaþenslu (CTE).. TheHágæða SiO_2 wafer fyrir háþróuð forriter hannað með nákvæmni-glæðri myndlausri uppbyggingu sem veitir "vélrænan biðminni" á milli kísilgrunnsins og útfelldra, þunnra filma (eins og GaN eða AlN). Með því að stjórna hitauppstreymi meðan á oxunarferlinu stendur, lágmarkum við innri streitu sem eftir er og tryggjum að skífan haldist fullkomlega slétt jafnvel eftir háan-hitaChemical Vapor Deposition (CVD)hringrásir.
Engineering the Foundation for Next-Gen Lithography
Stókíómetrískur hreinleiki fyrir rafstöðugleika:Með því að nota ofur-hreint O_2 umhverfi meðan á vexti stendur, útrýmum við „súrefnislausum stöðum“ innan SiO_2 grindarinnar. Þetta tryggir stöðugt rafstraumsgildi yfir allt yfirborðið, kemur í veg fyrir staðbundin viðnámsbreyting í háhraða RF og ljóseindarásum.
Öflugur burðarvirki fyrir CMP:Ofan er þéttleiki-bjartsýni til að standast vélrænan niður-kraft fráChemical Mechanical
Planarization (CMP). Þessi seiglu kemur í veg fyrir ör-sprungur og "dælingar" meðan á flóknum fjöl-laga samtengingum stendur.
Strategic umsóknir
Ítarleg rökfræði og minni:Nauðsynlegur einangrunarvettvangur fyrir 3D-staflaðan IC arkitektúr þar sem hitastjórnun og rafstraumsáreiðanleiki eru í fyrirrúmi.
Innbyggð ljóstækni:Veitir hár-skýrri neðri sjónklæðningu, sem gerir Total Internal Reflection (TIR) kleift með lágmarks útbreiðslutapi í kísilbylgjuleiðurum.
MEMS og skynjarar með mikla-næmni:Stöðugur, ó-hvarfgjarn grunnur til að búa til þrýstiskynjara og gírósjónauka sem krefjast há-Q vélrænna ómunar.
maq per Qat: há-gæða kísiloxíðskífa fyrir háþróuð forrit, Kína hágæða kísiloxíðskífa fyrir háþróuð forrit, framleiðendur, birgja, verksmiðju
