Silicon Wafer pallur

Silicon Wafer pallur

Þessir kísilskífupallar eru vandlega smíðaðir til að veita einstaklega áreiðanlegt vinnsluyfirborð yfir allt2 tommur til 12 tommur (50 mm - 300 mm)þvermál litróf. Þessi hvarfefni eru hönnuð með -atóm yfirborðsnákvæmni og virka sem -heiðarlegur grunnur fyrir þá sem mest krefjastljóslitafræði, þurrætingu og þunnri-filmuútfellinguröð.

Mismunandi tæknilegir kostir:

Uppbygging einsleitni:Eiginleikar efnisins eru fínstilltirMillivefssúrefni (Oi) og kolefnisinnihaldstjórna. Þetta innra jafnvægi styður við samræmdar framleiðsluaðstæður með því að koma í veg fyrir grindarlos og varmaúrkomu meðan á rokgjarnri há-tæmiglæðingu og hraðri varmavinnslu (RTP) stendur.

Thermomechanical seigla:Hannað til að viðhalda stöðugum eiginleikum við mikla hitauppstreymi og vélrænt álag, tryggir efnið endurteknar niðurstöður íPower IC (IGBT/MOSFET) og RF-ICframleiðslu. Þessi stöðugleiki er mikilvægur til að náundir-míkron heildarþykktarbreyting (TTV)og lágmarka fókusreið í sjálfvirkum 300 mm steypulínum.

Iðnaðar-áreiðanleiki:Hönnuð til að uppfylla og fara yfir alþjóðlega tæknigæðastaðla-1, óspilltur yfirborðsáferð (með hrjúfleika á Angstrom-stigi) tryggir stöðuga útkomu ferla, sem tengist beint aukningu í-ávöxtun flísa og áreiðanleika tækisins.

Fjölhæfni umsóknar:Hvort sem þau eru notuð til sérhæfðra rannsókna og þróunar frumgerða eða framleiðslu í-miklu magni iðnaðar-, veita þessi undirlag áreiðanlega, hálfleiðara-einkalaus efnislausn. Nákvæm kristalstefna og einsleitni íblöndunarefna eru fínstillt fyrir þá viðkvæmustuMEMS, Logic og Power Semiconductorumsóknir.

maq per Qat: kísilskífa vettvangur, Kína kísilskífa vettvang framleiðendur, birgja, verksmiðju