Uppbygging sílikonskúffu

Uppbygging sílikonskúffu

Hálfleiðara-gæða kísilskúffubyggingin okkar eru smíðuð á atómstigi til að auðvelda mjög stjórnaða framleiðslu á öllu50 mm til 300 mm (2-12 tommur)þvermál litróf. Með því að nota háþróaðaCzochralski (CZ) og flotsvæði (FZ)kristaltogunaraðferðir, tryggjum við óspillta, gallaða-lausa grind sem þjónar sem há-heildarhýsli fyrir þekjuvöxt og háa-jónaígræðslu.

Kjarna aðgreindir kostir:

Grindar-Einhæfni stigs:Ólíkt efnum úr blendingum-gæða, hafa obláturnar okkar ofur-jafnvæga innri eiginleika-sérstýrða millivefs súrefnis- og kolefnisinnihaldi. Þetta kemur í veg fyrir varmaúrkomu meðan á rokgjarnri há-lofttæmiglæðingu stendur og tryggir fyrirsjáanleg rafsnið fyrirPower ICs (IGBT/MOSFET) og RF einingar.

Thermomechanical seigla:Bjartsýni burðarvirkisins tryggir að sérhver oblát hegðar sér stöðugt við miklar vinnslulotur, allt frá háum-hitadreifingu til vélrænni bakslípun-. Þessi stöðugleiki er mikilvægur til að viðhaldaundir-míkron heildarþykktarbreyting (TTV)og koma í veg fyrir brot í sjálfvirkum 300 mm steypulínum.

Afrakstur-Nákvæmni:Sérhvert undirlag er hannað til að uppfylla og fara fram úr ströngum iðnaðarvæntingum um -sérstaka flatneskju (SFQR). Þessi nákvæmni styður aukna dýpt-af-fókus (DOF) í háþróaðri ljóslitafræði, sem tengist beinu samhengi við verulega minnkun á ferlisreki og aukningu á endanlega áreiðanleika tækisins.

maq per Qat: kísilskífa uppbygging, Kína kísilskífa uppbygging framleiðendur, birgjar, verksmiðju