Kísildíoxíðskífa fyrir háþróaða öreindatækni
Kísildíoxíðskífan fyrir háþróaða öreindatækni er hönnuð til að mæta þörfum næstu-kynslóðar hálfleiðara- og örrafeindaforrita. Þessi há-afkastaflaska, gerð úr ofur-hreinu kísildíoxíði (SiO₂), er kjörið efni til framleiðslu á samþættum hringrásum (IC), MEMS (Micro-rafvélakerfi), skynjurum og öðrum-þróaðri örrafeindahlutum. Þessi skífa er þekkt fyrir einstaka rafeiginleika, slétt yfirborðsáferð og mikinn hitastöðugleika og tryggir áreiðanlega frammistöðu og nákvæmni í krefjandi framleiðsluferlum. Kísildíoxíðskífan fyrir háþróaða öreindatækni er fínstillt fyrir bæði rannsóknir og mikið-magnsframleiðslu og er fullkomin fyrir háþróaða ljóslitafræði, þunnt-frásetningu og önnur örflögnun. Gallalaus yfirborðsgæði hans og framúrskarandi rafmagns einangrun gera það að kjörnum valkostum fyrir há-afkastamikil rafeinda- og sjón rafeindatækni.
- Hröð afhending
- Gæðatrygging
- 24/7 þjónustuver
Vörukynning
Tæknilýsing: Silicon Dioxide Wafer fyrir háþróaða öreindatækni
Vöruyfirlit
Kísildíoxíð (SiO_2) wafer fyrir háþróaða öreindatækni er há-hátt undirlag sem er hannað sérstaklega fyrir nákvæmni kröfur næstu-kynslóðar hálfleiðaraframleiðslu. Með því að nota ofur-hreint kísildíoxíð sem ræktað er með varmaoxun eða háþróaðri plasmaútfellingu á há-kísilbasa, þjónar þessi obláta sem fremsti vettvangur fyrir samþætta hringrás (IC), MEMS og háþróuð skynjarafylki. Einkennist af óvenjulegum rafstyrk og ofur-sléttri yfirborðsáferð, það tryggir mikla-mynsturflutning við háþróaða ljóslitafræði og há-sérsérhæfni. Yfirburða varmastöðugleiki þess og rafeinangrunareiginleikar gera það að kjörnum valkostum fyrir bæði háþróaða rannsóknir og þróun og há-magn framleiðslu á háhraða örrafeindatækni og samþættum sjónrænum einingum.
Tæknilegir kostir
Óvenjulegur rafstyrkur:Há-hreinleika SiO_2 lag veitir öfluga einangrunarhindrun með hárri niðurbrotsspennu ($V_{bd}$), nauðsynleg fyrir undir-5nm rökfræði og háþéttni minnishnúta.
Ofur-slétt yfirborðsáferð:Undir-nanómetra ójöfnur lágmarkar ljósdreifingu og galla á viðmótum, auðveldar útfellingu einsleitra þunnra-filmulaga.
Hár hitastöðugleiki:Hannað til að standast vélræna skekkju og flutning oxíðþykktar við endurtekna há-hitaglæðingu og hraðri varmavinnslu.
Fínstillt fyrir háþróaða ætingu:Nákvæm efnasamsetning tryggir stöðugan ætingarhraða yfir alla oblátuna, mikilvægt til að ná háu-hlutfalli-hlutfalli í MEMS og 3D-IC arkitektúr.
Aðalumsóknir
Næsta-Kynslóð IC-framleiðsla:Virkar sem krítískt millilagsdielectric (ILD) eða hliðaroxíð fyrir-afkastamikil gervigreind örgjörva og farsíma SoCs.
Ítarlegri MEMS & NEMS:Tilvalið burðar- eða fórnarlag til að búa til ör-stýringar og há-þrýstings-/tregðuskynjara.
Optolectronic samþætting:Veitir mikinn-einangrunarvettvang til að samþætta kísilbylgjuleiðara, mótara og ljósnema.
Ljósmyndafræði í hárri-upplausn:Sérstaklega hannaður sem stöðugur grunnur fyrir EUV og DUV steinþrykkferli sem krefjast núll-galla yfirborðsformgerðar.
maq per Qat: kísildíoxíðskífa fyrir háþróaða öreindatækni, Kína kísildíoxíðskífa fyrir háþróaða öreindatækni framleiðendur, birgja, verksmiðju
